Benutzer:Segelboot/Schmierblatt

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Da die GaAs-Technik auf etwa 10 Watt pro Modul beschränkt ist, werden die GaN-Module wesentlich höhere Abstrahlleistungen aufweisen, da sonst eine teure Neuentwicklung keinen Sinn ergeben würde. In den wissenschaftlichen Publikationen finden sich z.B. X-Band GaN-Module (AlGaN/GaN HEMT MMIC) von EADS Ulm mit 20 Watt Output und 24% Wirkungsgrad (PAE). Die Arbeit, im Jahr 2008 veröffentlicht, wurde durch die WTD 81 und das BMVg finanziert.[1] 2006 kam aus derselben Firma ein Paper, dass von AlGaN/GaN HEMT Modulen mit 20–23 W und 29–36,5% PAE zu berichten wusste. Diese Arbeit wurde von Frankreich und der WTD 81 finanziert.[2] SELEX Sistemi Integrati veröffentlichte 2008 eine Publikation, in der etwa 5 mm dicke X-Band GaN-Module von 45 × 15,5 mm Größe mit 30 Watt und 40% PAE vorgestellt wurden.[3] Dies läßt vermuten, das eine Modulleistung von mindestens 20 Watt angestrebt wird.

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  1. EADS Deutschland uvm. / Schu u. a.: GaN MMIC based T/R-Module Front-End for X-Band Applications, European Microwave Integrated Circuit Conference, 2008.
  2. EADS Deutschland uvm. / Schu u. a.: 20W GaN HPAs for Next Generation X-Band T/R-Modules, International Microwave Symposium Digest, 2006.
  3. Selex Sistemi Integrati / Bettidi u. a.: INNOVATIVE T/R MODULE IN STATE-OF-THE-ART GAN TECHNOLOGY, IEEE Radar Conference, 2008.