Diskussion:Ionenimplantation

Fragen an die Vor-Autoren

Ein paar Fragen an die Vor-Autoren dieser Seite:

• Wieso gehen Integrale von minus unendlich bis plus unendlich - würde nicht von Null bis unendlich ausreichen? Ändern?
• Bei der Reichweiten-Streuung fehlte ein Quadrat im Integranden - habe ich schon geändert.
• Die statistischen Beschreibungen sind ja schön und gut. Aber man sollte auch erklären, wozu sie gut sind, insbesondere bei Schiefe und Kurtosis. Dazu bin ich nicht in der Lage - wer kann das tun? Wenn das niemand kann, sollte man auch die entsprechenden Definitionen wieder rausnehmen, denn dann verwirren sie nur.
• Und vielleicht könnte irgendein Spezialist noch ein paar Worte dazu verlieren, warum man zur Vermeidung des Tunneling die Substratoberfläche ausgerechnet um genau 7 Grad drehen muss?

Dallu 13:57, 20. Jun 2006 (CEST)

• Wie soll denn eine mechanische Ablenkung von Ionen erfolgen?
• Die Neutralisation der Ionen ist auch nnicht erwähnt, im Subtrat befinden sich nach der Implantation keine Ionen sondern Atome.

Das "Denglisch" im Artikel werde ich mal entfernen

• 7 Grad sind am besten geeignet, das hat mit der Kristalltruktur des siliziums zu tun, bei 7 Grad ist die "Auffangrate" am günstigsten

Cyberhofi (falsch signierter Beitrag von Cyberhofi (Diskussion | Beiträge) 17:42, 6. Feb. 2007 (CET))

Ja, die Ladungen der Ionen neutralisieren sich zum größten Teil, trotzdem verursacht der Ionenbeschuß zumindest während des Prozesses eine Aufladung des Substrates. Dem kann aber durch entsprechende Erdung des substrates meist entgegengewirkt werden. --Cepheiden 14:32, 9. Sep. 2008 (CEST)

Ionenimplantation - Ionenimplanter

Gibt es einen Grund, Ionenimplantation und das Gerät dazu (das bei der Implantation auch beschrieben wird) in getrennten Artikeln zu halten? Ich würde vorschlagen, den Inhalt aus Implanter in die Implantation einzubauen und eine Weiterleitung anzulegen. --Cjesch 12:13, 1. Jul. 2010 (CEST)