Diskussion:Leistungs-MOSFET
verbesserungswürdig[Quelltext bearbeiten]
Wenn jemand diesen Artikel für verbesserungswürdig hält, hätte ich gerne einen kleinen Hinweis. Also bitte melden.... (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von 172.183.56.230 (Diskussion • Beiträge) 22:49, 9. Dez. 2004 (CET))
D: mit deinen Änderungen bin ich einverstanden :-) (Der vorstehende, nicht signierte Beitrag – siehe dazu Hilfe:Signatur – stammt von Tumi (Diskussion • Beiträge) 10:48, 10. Dez. 2004 (CET))
der sichere Arbeitsbereich durch 3 Kenngrössen nach Abschnitt "Kenngrößen" verschoben --Tumi 23:19, 1. Mär 2006 (CET)
Schnittbild des DMOS ist falsch![Quelltext bearbeiten]
Hallo,
mir ist aufgefallen, dass das Schnittbild des DMOS falsch ist. Ein gängiger DMOS liegt - so wie er hier dargestellt wird - in einem N-Substrat und nicht im p-Substrat. Sonst würde ich ja noch ein pn-Übergang ergeben und das Bauelement würde aussehen wie ein IGBT... (nicht signierter Beitrag von 217.10.60.85 (Diskussion) )--Henristosch 10:33, 11. Feb. 2008 (CET)
- Du hast Recht. Anstatt p+- wäre n+-Substrat richtig. siehe auch angegebene Quelle im Artikel. --Henristosch 10:33, 11. Feb. 2008 (CET)
- Aufgrund welcher Quellen und Kenntnisse seit ihr dieser Meinung? Laut [1] ist es eine n+-dotierte Schicht. Ein zusätzlicher p-n-Übergang würde meiner Meinung nach auch die Funktion behindern. Bitte um schnelle Klärung --Cepheiden 13:33, 11. Feb. 2008 (CET)
- Edit: Alternativ kann auch eine vergleichbarer Aufbau auf [2]angesehen werden (Abbildung 2.13). Achtung! vertikaler aufbau mit Frontseitigem Drainkontakt, im Ggs. zum Rückseitenkontakt im Bild. --Cepheiden
- ↑ Infineon: Halbleiter. Technische Erläuterungen und Kenndaten: Technische Erlauterungen, Technologien Und Kenndaten. 3. Auflage. Publicis Corporate Publishing, 2003, ISBN 3-89578-205-X, S. 500.
- ↑ 2.2 Der DMOS-Prozeß. ([1] [abgerufen am 11. Februar 2008]).
- Verdammt, bin auf meinen eigenen Fehler reingefallen. Danke. n+ ist natürlich richtig. --Cepheiden 16:40, 11. Feb. 2008 (CET)
"Diese FETs können einen Strom von 120 A schalten."[Quelltext bearbeiten]
Eher unwahrscheinlich. Package-Limit beim D²PAK dürfte bei etwa 75 Ampere liegen. --88.208.151.174 01:39, 24. Feb. 2009 (CET)
Temperaturverhalten[Quelltext bearbeiten]
Nach meinen Informationen ist das wiedergegebene Temperaturverhalten im Kapitel "Anwendungen" gerade umgekehrt:
"Überdies vertragen MOSFET-Strukturen nur geringere maximale Temperaturen als bipolare Strukturen (ca. 125 bis 150 °C gegenüber 150…180 °C)."
Typische MOSFETs (im TO-247 Gehäuse) von International Rectifier oder IXYS spezifizieren als maximal zulässige Junctiontemperatur 175C während IGBTs (also ein bipolares Bauteil) nur 150C (ebenfalls TO-247, Hersteller International Rectifier, Intersil) spezifizieren.
--Blunino (Diskussion) 01:39, 11. Jul. 2012 (CEST)
Verständnisproblem im Abschnitt "Weiterentwicklung"[Quelltext bearbeiten]
Hier wird zu Beginn der Drain-Source-Widerstand R_DS(on) eingeführt, gut. Zwei Abschnitte weiter steht unvermittelt der "spezifische Einschaltwiderstand R_DS(on) * A". 1) Was um Himmels willen ist "A" ??? Einheit? 2) Wie wird aus einem on-state-resistance, also einem stationären Widerstandswert, nun ein Einschaltwiderstand, und überhaupt: wie ist ein "Einschaltwiderstand" definiert? Soll dies der Widerstand im durchgeschalteten Zustand des Transistors sein? 3) Und was ist "spezifisch"? Hat das was mit dem (materialbeschreibenden) Begriff "spezifischer Widerstand" zu tun? Kann bitte ein Fachkundiger dies klarer formulieren? Danke! Axel (nicht signierter Beitrag von 95.114.134.115 (Diskussion) 21:26, 17. Okt. 2015 (CEST))