Diskussion:Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors

Flussspannung oder Bandabstandsspannung

Hallo, ich glaub an dieser Stelle sollte mal geklärt werden was $U_{G}$ ist. Meine heutigen Änderungen waren evtl etwas voreilig. Im "Tietzke-Schenk" steht für die Bandabstandsspannung U_G= 1,12 V, das ergibt zugegebenermaßen wenig sin denn der Bandabstand ist ja 1,12 eV und müsste wie vorher im Artikel angegeben durch die Elementarladung e geteilt werden um den Spannungs- und nicht den Energiewert zu erhalten. Kann es sein, dass die "Schaltungstechniker-Bibel" sich in der Hinsicht seit zig Ausgaben irrt? --Cepheiden 09:02, 16. Mai 2007 (CEST)

Ich denke, im guten "Tietzke-Schenk" ist da wohl ein Fehler unentdeckt geblieben, zumindest in der mir vorliegenden 11. Ausgabe. Nebenbei bemerkt, zwischen Buch und Wiki-Artikel besteht eine verblüffende Ähnlichkeit. Aber nun zur Sache. Der Bandabstand, meist als Energie W_G in eV angegeben, ist salopp gesprochen eine Materialkonstante, für Silizium ca. 1,12 eV. Diesen Wert kann man nun nach Multiplikation mit der Elementarladung e als Bandabstandspannung, manchmal auch Ionisierungsspannung genannt, angeben. Genauso gut kann man in der Gleichung anstelle der Temperaturspannung U_T gleich die thermische Energie k_BT verwenden und den Wert von W_G direkt einsetzen. Da in der gleichen Größenordnung (für Silizium meist 0,6 bis 0,7 V) liegend, kann man die Ionisierungsspannung leicht mit der Diffusionsspannung verwechseln, die an der Raumladungszone abfällt und von der Temperatur und der Dotierung abhängt. Die Flussspannung ist dagegen keine Eigenschaft des Materials, sondern eine aussen an der Diode gemessene Spannung und daher in dieser Gleichung wohl wenig sinnvoll, oder? Gruß --MacFreq 23:34, 16. Mai 2007 (CEST) kleine Korrekturen --MacFreq 01:08, 18. Mai 2007 (CEST)

Hallo, wir hatten damals ein Rechenfehler.

• Eg = 1,12 eV = 1,79E-19 J = 1,79E-19 VAs
• e = 1,60E-19 C = 1,60E-19 As
• Eg / e = 1,79E-19 VAs / 1,60E-19 As = 1,12 V

--Cepheiden (Diskussion) 21:50, 1. Nov. 2022 (CET)

second breakdown

Hier fehlt das (unerfreuliche) Kapitel "Durchbruch 2. Art" (second breakdown).--Arnulf zu Linden 14:58, 23. Nov. 2007 (CET)

Zustimmung. Willst Du Dich darüber wagen? --wdwd 15:39, 23. Nov. 2007 (CET) PS: Wieso "unerfreulich"?

Keine mathematische Beschreibung

diese seite enthält keine mathematische Beschreibung des Bipolartransistors (interna) sondern formeln zum berechnen von Strömen und Spannungen (extern).
unter einer mathematischen Beschreibung verstehe ich Modelle. Ein weniger irreführender titel wäre besser. "Formeln zur Berechnung von Bipolartransistorschaltungen" wäre eine variante. --Moritzgedig 10:03, 3. Feb. 2009 (CET)

Abschnitt "Spannung" paradox:

ZITAT: Basis-Emitter-Durchbruchsspannung
   "Bei der Basis-Emitter-Diode des pnp-Transistors liegt die Basis-Emitter-Durchbruchsspannung U_{(BR)EBO} für die meisten Transistoren im Bereich zwischen 5 und 7 Volt. Da npn-Transistoren üblicherweise nicht mit einer negativen BE-Spannung betrieben werden, ist diese Angabe meist nicht relevant". 

• "Bei der Basis-Emitter-Diose ....des pnp-T...."; dann weiter: Da pnp -Tranistoren..." IRRE: es ging um den pnp- T; dann kann sich der Autor nicht im Satz danach auf den ganz anderen Transistor, nämlich den npn- T. beziehen, u. daraus einen Schluß ziehen! 5.7.15, Eco (nicht signierter Beitrag von 93.104.120.195 (Diskussion) 10:53, 6. Jul 2015 (CEST))