Diskussion:Mesatransistor
Fertigung[Quelltext bearbeiten]
In dem Abschnitt "Fertigung" herrscht ein ziemliches Chaos in Bezug auf die Polaritaeten:
Anfangs soll ein NPN-Transistor erzeugt werden, spaetern endet man bei einem PNP. Kollektor und Basis sind beiden n-dotiert (ist natuerlich Unsinn). Mit Arsen soll Germanium p-dotiert werden (Arsen ist aber ein Donator - auch in Silizum und erzeugt daher ein N-Gebiet).
Irgendjemand, der sich mit dem alten Prozess auskennt sollte das mal aufraeumen. (nicht signierter Beitrag von 87.165.218.157 (Diskussion) 20:02, 3. Mai 2015 (CEST))
- Das stimmt, danke für den Hinweis. Ich prüfe das nochmal und habe vorerst aber schon die groben Fehler behoben. --Cepheiden (Diskussion) 21:41, 5. Mai 2015 (CEST)
Das n-dotierte Substrat stellt später den Kollektor und der n-dotierte Bereich die Basis des Bipolartransistors dar. Für die Herstellung des Emitter-Bereichs ist ein weiterer Diffusionsschritt notwendig. Dazu wird in einem maskierten Bereich auf der p-dotierten Schicht ein Material aufgebracht, das nach einem Diffusionsschritt zu einem p-dotierten Gebiet führt
Liegt das an mir oder ergibt das keinen Sinn?
--Moritzgedig (Diskussion) 23:22, 2. Apr. 2016 (CEST)