Diskussion:Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
Zur Navigation springen
Zur Suche springen
Weiterleitung[Quelltext bearbeiten]
Ich würde es begrüßen , wenn die suchanfrage "MOS" auch zu dieser Seite führt, momentan tut sie das leider nicht. MFG (nicht signierter Beitrag von 84.186.29.109 (Diskussion | Beiträge) 17:48, 12. Dez. 2007 (CET))
Dieser Abschnitt kann archiviert werden. -- Cepheiden (Diskussion) 09:09, 3. Apr. 2013 (CEST)
Verwechslung bzw. Missverständlichkeit[Quelltext bearbeiten]
Meines Erachtens ist in dem Artikel eine Verwechslung bzw. Missverständlichkeit. Ohne jetzt lange ins Detail zu gehen. Wenn ich mit der Flachbandspannung meine RLZ "verschwinden" lasse und ich vorher negative Ladungsträger im p-Typ habe an der Grenzfläche zum Oxid, dann kann eine weitere Erhöhung dieser Spannung nicht zu einer Verarmung der Majoritäten sprich Löcher führen, sondern ich komme zunehmend in den Anreicherungsfall. (nicht signierter Beitrag von 134.61.2.207 (Diskussion) 19:07, 2. Apr. 2013 (CEST))
- Wieso sind deiner Meinung nach im thermodynamischen Gleichgewicht (U = 0 V) negative Ladungträger im p-dotiertem Gebiet? --Cepheiden (Diskussion) 09:09, 3. Apr. 2013 (CEST)