Diskussion:Galliumnitrid

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Letzter Kommentar: vor 8 Jahren von Deckblatt in Abschnitt GaN-FET
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Zeitangabe[Quelltext bearbeiten]

"derzeitige Technologien", "heutzutage" ... wann war das konkret? Welche Jahreszahl etwa? Man muss bei so langlebigen Artikeln zeitliche Angaben mit absoluten "Zeitmarken" versehen, so dass ein späterer Leser eine Information über die Aktualität der Aussage hat. Fehlende absolute Zeitangaben - ein Manko in Texten vieler Autoren.

//al (nicht signierter Beitrag von 87.152.182.166 (Diskussion | Beiträge) 11:52, 24. Aug. 2009 (CEST)) Beantworten

GaN(Sb) als Wasserspaltungs-Katalysator[Quelltext bearbeiten]

Siehe [1], Artikel demnach frisch in Phys. Rev. --Ayacop 20:05, 31. Aug. 2011 (CEST)Beantworten

Widersprüchliche Bandlücken-Angaben[Quelltext bearbeiten]

für beide Kristallstrukturen gibt es leicht variierende Angaben, aber alle im Bereich 3,2 bis 3,5 eV. -- Amtiss, SNAFU ? 00:19, 21. Mai 2013 (CEST)Beantworten

Eigentlich benutzen alle 3,42 eV als Bandlückenenergie, zumindest für die wurtzite Kristallstruktur. Schlage vor, das zu ändern.--134.102.25.197 17:46, 4. Dez. 2013 (CET)Beantworten

GaN-FET[Quelltext bearbeiten]

...gibt es nicht nur in Schaltnetzteilen, sondern auch in der HF-Technik (z.B. [2]). --Deckblatt (Diskussion) 14:02, 5. Sep. 2015 (CEST)Beantworten